NAND Flash 存储关键技术

刘航航; 李晓颖; 杨云刚; 薛小乐

doi:10.15892/j.cnki.djzdxb.2016.01.040

2016 , Vol. 36 >Issue 1: 161 - 164

DOI: https://doi.org/10.15892/j.cnki.djzdxb.2016.01.040

摘要

为提高NANDFlash数据存储的可靠性,阐述了坏块管理的基本思想,探讨了坏块跳过、坏块替换和动态坏块管理三种方案,探究了基于汉明码的BCH码的数据校验算法。为提高NANDFlash存储效率,研究了Multi-Plane操作、InterleavedDie操作、多片Flash阵列流水线技术等方法。研究分析表明坏块管理策略和数据检验可提高NANDFlash数据存储可靠性,流水线操作等技术可提高NANDFlash存储效率。

关键词： NAND Flash; 坏块管理; 数据存储

本文引用格式

刘航航 , 李晓颖 , 杨云刚 , 薛小乐 . NAND Flash 存储关键技术[J]. 弹箭与制导学报, 2016 , 36(1) : 161 -164 . DOI: 10.15892/j.cnki.djzdxb.2016.01.040

Abstract

In order to improve reliability of NAND Flash data storage, basic idea of bad block of NAND Flash was discussed, three management strategies including bad block skip, bad block replacement and dynamic management were analyzed; Error checking and correcting algorithm were also described.In order to enhance efficiency of NAND Flash memory, Multi-Plane operation, Interleaved Die operation, pipeline storage technology of multi-chip were studied.Analysis shows that the effective management strategies and data check-out algorithm can increase NAND Flash data storage reliability, several operations sharing the program time can raise efficiency of NAND Flash memory.

Key words： NAND Flash; error management; data storage

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